了解MOS管的參數(shù)！

我們?cè)谶x擇和使用MOS管時(shí)先要了解管子的參數(shù)，具體參數(shù)合芯半導(dǎo)體在規(guī)格書(shū)上都有標(biāo)注。

最大額定參數(shù) 

MOS管的最大額定參數(shù)，一切數(shù)值取得條件(Ta=25℃)

VDSS 最大漏-源電壓 

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)作雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。依據(jù)溫度的不同，雪崩擊穿電壓或許低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)DSS的詳細(xì)描述請(qǐng)參見(jiàn)靜電學(xué)特性。

VGS 最大柵源電壓 

VGS額定電壓是柵源極間能夠施加的最大電壓。設(shè)定該額定電壓的主要意圖是防止電壓過(guò)高導(dǎo)致的柵極氧化層損傷。柵氧化層可接受的電壓遠(yuǎn)高于額定電壓，可是會(huì)隨制造工藝的不同而改變，因而堅(jiān)持VGS在額定電壓以?xún)?nèi)能夠確保使用的可靠性。

ID - 持續(xù)漏電流 

ID指為芯片在最大額定結(jié)溫TJ(max)下，管表面溫度在25℃或許更高溫度下，可答應(yīng)的最大接連直流電流。該參數(shù)為結(jié)與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數(shù)：

ID中并不包含開(kāi)關(guān)損耗，而且實(shí)踐使用時(shí)堅(jiān)持管表面溫度在25℃（Tcase）也很難。因而，硬開(kāi)關(guān)使用中實(shí)踐開(kāi)關(guān)電流一般小于ID 額定值@ TC = 25℃的一半，一般在1/3～1/4。補(bǔ)充，假如采用熱阻JA的話(huà)能夠估算出特定溫度下的ID，這個(gè)值更有實(shí)際含義。

IDM - 脈沖漏極電流 

該參數(shù)反映了器件能夠處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于接連的直流電流。界說(shuō)IDM的意圖在于：線的歐姆區(qū)。關(guān)于必定的柵-源電壓，MOSFET導(dǎo)通后，存在最大的漏極電流。關(guān)于給定的一個(gè)柵-源電壓，假如作業(yè)點(diǎn)坐落線性區(qū)域內(nèi)，漏極電流的增大會(huì)進(jìn)步漏-源電壓，由此增大導(dǎo)通損耗。長(zhǎng)期作業(yè)在大功率之下，將導(dǎo)致器件失效。因而，在典型柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，需求將額定IDM設(shè)定在區(qū)域之下。區(qū)域的分界點(diǎn)在Vgs和曲線相交點(diǎn)。

因而需求設(shè)定電流密度上限，防止芯片溫度過(guò)高而焚毀。這本質(zhì)上是為了防止過(guò)高電流流經(jīng)封裝引線，由于在某些情況下，整個(gè)芯片上最“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。

考慮到熱效應(yīng)關(guān)于IDM的約束，溫度的升高依賴(lài)于脈沖寬度，脈沖間的時(shí)刻間隔，散熱情況，RDS(on)以及脈沖電流的波形和起伏。單純滿(mǎn)意脈沖電流不超出IDM上限并不能確保結(jié)溫不超越最大答應(yīng)值。能夠參考熱性能與機(jī)械性能中關(guān)于瞬時(shí)熱阻的評(píng)論，來(lái)估計(jì)脈沖電流下結(jié)溫的情況。

PD - 容許溝道總功耗 

容許溝道總功耗標(biāo)定了器件能夠散失的最大功耗，能夠表明為最大結(jié)溫和管殼溫度為25℃時(shí)熱阻的函數(shù)。

TJ, TSTG - 作業(yè)溫度和存儲(chǔ)環(huán)境溫度的規(guī)模 

這兩個(gè)參數(shù)標(biāo)定了器件作業(yè)和存儲(chǔ)環(huán)境所答應(yīng)的結(jié)溫區(qū)間。設(shè)定這樣的溫度規(guī)模是為了滿(mǎn)意器件最短作業(yè)壽數(shù)的要求。假如確保器件作業(yè)在這個(gè)溫度區(qū)間內(nèi)，將極大地延伸其作業(yè)壽數(shù)。

EAS - 單脈沖雪崩擊穿能量 

假如電壓過(guò)沖值(一般由于漏電流和雜散電感形成)未超越擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)作雪崩擊穿，因而也就不需求散失雪崩擊穿的才能。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件能夠容忍的瞬時(shí)過(guò)沖電壓的安全值，其依賴(lài)于雪崩擊穿需求散失的能量。界定額定雪崩擊穿能量的器件一般也會(huì)界定額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的含義。EAS標(biāo)定了器件能夠安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。

L是電感值，iD為電感上流過(guò)的電流峰值，其會(huì)突然轉(zhuǎn)換為測(cè)量器件的漏極電流。電感上發(fā)作的電壓超越MOSFET擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)作時(shí)，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀況，電感上的電流同樣會(huì)流過(guò)MOSFET器件。電感上所貯存的能量與雜散電感上存儲(chǔ)，由MOSFET散失的能量相似。MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。一般情況是：某個(gè)器件率先發(fā)作雪崩擊穿，隨后一切的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過(guò)。

EAR - 重復(fù)雪崩能量 

重復(fù)雪崩能量已經(jīng)成為“工業(yè)規(guī)范”，可是在沒(méi)有設(shè)定頻率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數(shù)沒(méi)有任何含義。散熱(冷卻)情況常常制約著重復(fù)雪崩能量。關(guān)于雪崩擊穿所發(fā)作的能量高低也很難猜測(cè)。

額定EAR的真實(shí)含義在于標(biāo)定了器件所能接受的反復(fù)雪崩擊穿能量。該界說(shuō)的前提條件是：不對(duì)頻率做任何約束，從而器件不會(huì)過(guò)熱，這關(guān)于任何或許發(fā)作雪崩擊穿的器件都是實(shí)際的。在驗(yàn)證器件規(guī)劃的過(guò)程中，最好能夠測(cè)量處于作業(yè)狀況的器件或許熱沉的溫度，來(lái)觀察MOSFET器件是否存在過(guò)熱情況，特別是關(guān)于或許發(fā)作雪崩擊穿的器件。

IAR - 雪崩擊穿電流 

關(guān)于某些器件，雪崩擊穿過(guò)程中芯片上電流集邊的傾向要求對(duì)雪崩電流IAR進(jìn)行約束。這樣，雪崩電流變成雪崩擊穿能量標(biāo)準(zhǔn)的“精細(xì)闡述”；其提醒了器件真正的才能。

靜態(tài)電特性 

V(BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓) 

V(BR)DSS（有時(shí)候叫做VBDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流到達(dá)一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。

V(BR)DSS是正溫度系數(shù)，溫度低時(shí)V(BR)DSS小于25℃時(shí)的漏源電壓的最大額定值。在-50℃, V(BR)DSS大約是25℃時(shí)最大漏源額定電壓的90%。

VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓 

VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開(kāi)端有電流，或關(guān)斷MOSFET時(shí)電流消失時(shí)的電壓，測(cè)驗(yàn)的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有標(biāo)準(zhǔn)的。正常情況下，一切的MOS柵極器件的閾值電壓都會(huì)有所不同。因而，VGS(th)的改變規(guī)模是規(guī)定好的。VGS(th)是負(fù)溫度系數(shù)，當(dāng)溫度上升時(shí)，MOSFET將會(huì)在比較低的柵源電壓下開(kāi)啟。

RDS(on)：導(dǎo)通電阻 

RDS(on)是指在特定的漏電流（一般為ID電流的一半）、柵源電壓和25℃的情況下測(cè)得的漏-源電阻。

IDSS：零柵壓漏極電流 

IDSS是指在當(dāng)柵源電壓為零時(shí)，在特定的漏源電壓下的漏源之間漏電流。已然漏電流跟著溫度的添加而增大，IDSS在室溫和高溫下都有規(guī)定。漏電流形成的功耗能夠用IDSS乘以漏源之間的電壓計(jì)算，一般這部分功耗能夠忽略不計(jì)。

IGSS - 柵源漏電流 

IGSS是指在特定的柵源電壓情況下流過(guò)柵極的漏電流。

動(dòng)態(tài)電特性 

Ciss：輸入電容 

將漏源短接，用溝通信號(hào)測(cè)得的柵極和源極之間的電容便是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成，或許Ciss = Cgs +Cgd。當(dāng)輸入電容充電致閾值電壓時(shí)器件才能開(kāi)啟，放電致必定值時(shí)器件才能夠關(guān)斷。因而驅(qū)動(dòng)電路和Ciss對(duì)器件的開(kāi)啟和關(guān)斷延時(shí)有著直接的影響。

Coss：輸出電容 

將柵源短接，用溝通信號(hào)測(cè)得的漏極和源極之間的電容便是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯(lián)而成，或許Coss = Cds +Cgd關(guān)于軟開(kāi)關(guān)的使用，Coss非常重要，由于它或許引起電路的諧振。

Crss：反向傳輸電容 

在源極接地的情況下，測(cè)得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，關(guān)于開(kāi)關(guān)的上升和下降時(shí)刻來(lái)說(shuō)是其間一個(gè)重要的參數(shù)，他還影響這關(guān)斷延時(shí)時(shí)刻。電容跟著漏源電壓的添加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。

Qgs,Qgd,和Qg：柵電荷 

柵電荷值反應(yīng)存儲(chǔ)在端子間電容上的電荷，已然開(kāi)關(guān)的瞬間，電容上的電荷隨電壓的改變而改變，所以規(guī)劃柵驅(qū)動(dòng)電路時(shí)常常要考慮柵電荷的影響。

Qgs從0電荷開(kāi)端到第一個(gè)拐點(diǎn)處，Qgd是從第一個(gè)拐點(diǎn)到第二個(gè)拐點(diǎn)之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點(diǎn)到VGS等于一個(gè)特定的驅(qū)動(dòng)電壓的部分。

漏電流和漏源電壓的改變對(duì)柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的改變。測(cè)驗(yàn)條件是規(guī)定好的。柵電荷的曲線圖體現(xiàn)在數(shù)據(jù)表中，包含固定漏電流和改變漏源電壓情況下所對(duì)應(yīng)的柵電荷改變曲線。在圖中渠道電壓VGS(pl)跟著電流的增大添加的比較?。ǜ娏鞯南陆狄矔?huì)下降）。渠道電壓也正比于閾值電壓，所以不同的閾值電壓將會(huì)發(fā)作不同的渠道電壓。導(dǎo)通延時(shí)時(shí)刻是從當(dāng)柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)到漏電流升到規(guī)定電流的10%時(shí)所閱歷的時(shí)刻。

td(off)：關(guān)斷延時(shí)時(shí)刻 

關(guān)斷延時(shí)時(shí)刻是從當(dāng)柵源電壓下降到90%柵驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)到漏電流降至規(guī)定電流的90%時(shí)所閱歷的時(shí)刻。這顯示電流傳輸?shù)截?fù)載之前所閱歷的延遲。

tr：上升時(shí)刻 

上升時(shí)刻是漏極電流從10%上升到90%所閱歷的時(shí)刻。

tf：下降時(shí)刻 

下降時(shí)刻是漏極電流從90%下降到10%所閱歷的時(shí)刻。

歡迎客戶(hù)選擇使用合芯半導(dǎo)體的MOS管。